韩国存储芯片的崛起路径，正在被复制到另一个赛道。
6月14日，首尔。在副总理兼经济财政部长官具允哲主持的紧急经济指挥部会议上，韩国政府正式敲定了“超级创新经济项目”细则。5000亿韩元（约合22.3亿元人民币）的国家资金，将专项投向下一代功率半导体技术。若加上民间配套资金，项目总规模将膨胀至7500亿韩元（约4.94亿美元）。
这项决策的逻辑清晰而直接：韩国在存储芯片领域已经做到极致，但全球半导体市场正从“算力”向“电力”延伸——功率半导体，正成为AI时代新的战略制高点。
一、从DRAM到功率半导体：一场“第二增长曲线”的押注
在韩国政府的战略蓝图中，功率半导体的定位被提升至“堪比存储芯片的核心战略产业”。具允哲在会上明确表示，要“发现第二、第三个半导体等未来增长引擎”。
这一判断并非空穴来风。功率半导体是电能转换与控制的核心器件，广泛应用于AI数据中心、新能源汽车和智能电网。在AI算力爆发的背景下，数据中心海量电力的稳定高效运行高度依赖功率半导体。与此同时，全球功率半导体正呈现结构性紧缺——受晶圆代工成熟制程产能收缩和AI算力需求爆发双重驱动，MOSFET、第三代半导体器件价格持续上涨，部分企业年内已二度调价。
与韩国存储芯片过去依靠规模优势不同，功率半导体的竞争焦点正在从“制程微缩”转向“材料革命”。碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体材料，在耐高压、耐高温及高频环境下性能表现卓越，被视为提升AI数据中心能效、延长电动汽车续航的关键。韩国的技术路线图已明确——聚焦SiC和GaN，推进8英寸化合物功率半导体晶圆厂基础设施建设，计划2027年实现1200V SiC MOSFET等核心器件量产。
二、从10%到20%：韩国功率半导体的“自主率攻坚战”
韩国功率半导体产业面临的现实是：技术自主率仅约10%，产业链对外依存度高达90%至95%。在新能源汽车、工业电源及高端装备等领域，这一短板已成为制约发展的潜在瓶颈。
为此，韩国政府设定了明确的量化目标——到2030年将功率半导体技术自主率从10%提升至20%。韩国产业通商资源部已于2026年3月成立专项工作组，分阶段推进：上半年敲定技术发展路线图，下半年启动大型研发项目规划，同时研究法律修订以优先采购本土功率半导体产品。
与以往“先研发、后找应用”的模式不同，本次战略采取了“需求导向型”路径。政府要求产业链企业参与从材料、器件、模块到系统演示的全周期开发过程，构建“需求企业+Fabless设计企业+晶圆代工企业”的产业联盟模式。
三、三星、SK、Power Master：韩国功率半导体产业拼图
政府战略的落地，需要企业的产能与技术支撑。
三星电子计划于2026年第三季度生产碳化硅功率半导体样品，聚焦车规级和工业级应用，未来将拓展至沟槽型SiC MOSFET及功率模块产品。在此之前，三星的首条8英寸GaN生产线已准备就绪，最快将在2026年第二季度投入生产。
在产业链上游，SK Siltron通过收购杜邦碳化硅晶圆事业部，强化了衬底供应能力。韩国STI公司自主研发了碳化硅PVT生长炉，实现5N级碳化硅锭粉的本地化供应。
在中游制造环节，Power Master作为韩国知名的功率IDM企业，拥有硅8英寸和碳化硅6英寸晶圆厂，已实现1200V碳化硅MOSFET的量产，产品广泛应用于电动汽车和工业电源等领域。Arché、LX Semicon等企业已实现碳化硅外延片的量产。
值得关注的是，SK集团已被选定为政府功率半导体开发项目的龙头企业。目标是在2027年启动8英寸晶圆厂原型生产，并于2030年实现量产。
四、全球竞赛：窗口期正在缩短
韩国的这一动作并非孤立事件。6月14日至15日，韩国与日本几乎同时释放了宽禁带半导体领域的政策信号。日本半导体制造设备协会预测，2026财年日本产设备销售额有望达5.5万亿日元（约347亿美元），创历史新高，化合物半导体投资是主要驱动力。
在AI数据中心功耗暴增的驱动下，功率半导体已成为全球半导体产业下一个战略制高点。韩国试图复制存储芯片的成功路径，用国家意志推动全产业链突破；日本则凭借设备领域的传统优势，以化合物半导体巩固话语权。
对于中国企业而言，韩日的加速追赶既验证了宽禁带半导体赛道的高成长性，也意味着竞争将更激烈。中国此前已出台多项政策支持宽禁带半导体，国内企业在衬底、外延、器件等环节已有初步布局。但在韩国以国家意志推动全产业链突破、日本以设备优势巩固话语权的双重压力下，中国企业的窗口期正在缩短。
从存储芯片到功率半导体，韩国正在打一场“第二增长曲线”的攻坚战。5000亿韩元只是起点——真正的考验在于，韩国能否在功率半导体领域，再次复制DRAM的神话。
